本文譯自Van der Pauw, L.J. (1958). “A method of measuring the resistivity and Hall effect on lamellae of arbitrary shape". Philips Technical Review. 20: 220–221.)

不同溫度下的電阻率(resistivity)和霍爾係數(Hall coefficient)在半導體（例如鍺和矽¹）的研究上扮演很重要的角色，因為電荷載子的遷移率(mobility)和濃度(concentration)可以經由這些物理量而找出。

這類的測量通常是使用如圖1所示的測試棒(test bar)進行。由接點 O 和 P 之間的電位差及距離、電流 i 和棒子的尺寸可以直接找出電阻率。要求霍爾係數，則要將棒子置於磁場 B 的作用之中，其 B 的方向垂直於電流方向，也垂直於位於異側的接點 O 和 Q 的連線。這樣一來，會產生 O 和 Q 之間的電位差，霍爾係數就可以推得。（下面就要解釋因磁場而引起的霍爾係數和電位分佈改變之間的關係。）